骁龙810算啥？高通一大波中高端处理器曝光

1008613

高通骁龙810处理器，无疑会是2015年大部分旗舰级新机的标准配置。进入2015年以来还不到1个月时间，就已经先后有LG G Flex 2以及小米Note顶配版两部新机搭载骁龙810。但是，高通骁龙810却因为发热问题迟迟未能解决，而不得不推迟到三月份，也就是二季度才能正式量产。反观国内，联发科和海思两家却在高端产品线上连连发力。


; r( v3 q* s" c, E# t1 D$ p比如日前有消息称，联发科的新一代旗舰级SOC MT6795已经率先量产。同样采用四个Cortex-A57核心+四个Cortex-A53核心的异步大小核架构，最高主频高达2.2GHz，支持2000万像素摄像头、LTE Cat4网络，最高下载速度为150Mbps，不过该芯片依然基于现有的28nm工艺制程，而不是高通810所采用的20nm工艺。高通未能解决好的发热和功耗问题，不知道联发科在28nm工艺制程下，将采取何种方式解决呢。

海思方面，其与台积电联手打造的基于16nm FinFET工艺的麒麟950（另有说法称，该SOC为麒麟930）也已成功试产，该SOC同样是基于Cortex-A57 64位架构，得益于16nm工艺的采用，其最高主频去到了2.6GHz。它采用台积电的异构CoWoS 3D IC封装工艺，在一个28nm I/O芯片上集成了16nm逻辑芯片，大大降低了成本，也就是说它并非是完整的16nm工艺产品，大范围量产或许要等到下半年。
) X3 U& X! [% j" X
+ C1 N7 c  L% _5 D9 Q高通在810上，采用了来自ARM的标准Cortex-A5X架构，而不是自家的架构。根据IT之家先前的报道，高通的新架构研发进度，确实不足以让高通810率先采用。更换架构的高通骁龙810，也在发热和功耗控制方面面临挑战，导致其一再延期。高通骁龙810更大的意义在于，填补自主新架构SOC出现之前高端市场的空白。
. r, b! c: x3 S0 P+ G7 }! ^近日，基于高通自主架构的一系列中高端新品被曝光，一起来看看它们的相关参数信息。
9 f& \# O% P% z' o; I1、骁龙616：拥有八个A53核心，主频1.8G～2.2G，集成Adreno 408图形处理器，3D mark得分可达15000分以上，搭载的基带支持LTE-A CAT6制式，采用中芯国际28纳米HKMG工艺制造。
* G1 W1 L5 j6 Y- p2、骁龙620、625、629：采用自主TS1核心，64位技术，9级流水线双发射完整乱序执行设计，主频2.0G～2.5G，其中620为四核心，625、629为八核心，620及625集成的GPU为Adreno 418，支持双通道LPDDR3 933内存规格；629则集成Adreno 430，支持双通道LPDDR4 1600内存规格。此外，三者皆搭载MDM9X45 LTE-A CAT10全模基带，采用三星/GF的20纳米HKMG工艺制造。
3 f. i" x: W% K! m& q; i3、骁龙815：采用四核TS1i+四核TS1的混合架构设计，拥有2MB三级缓存，主频未知，集成Adreno 450图形处理器，支持双通道LPDDR4 1600内存规格，不集成基带，采用三星/GF的20nmHKMG工艺制造，目标直指Nvidia Tegra X1。
2 O  K  I* P: D- ]
9 w5 D. \/ m: n6 s& F! F9 v4、骁龙820：拥有八个64位的TS2核心，主频未知，集成Adreno 530图形处理器，支持双通道LPDDR4内存规格，并搭载MDM9X55 LTE-A CAT10全模基带，采用三星/GF的14nm FinFET工艺。
" j& G  ~4 p! T) {2 F, M5、骁龙808：这个可能会在MT6798之前上市，采用双核A57+四核A53的混合架构设计，主频2.0G以上，集成Adreno 418图形处理器和MDM9X35/45 LTE-A全模基带，利用台积电20纳米HPM工艺制造。

, V2 t# u: U4 ^另外，从相关人士的消息来看，高通原计划将在2015年下半年推出14nm的高通820（8996）处理器，但从目前的情况来看，虽然三星14nm工艺的良品率已经超过了80%，但由于台积电16nm工艺进展不顺利，三星的大部分订单已被苹果抢到，而且GlobalFoundries 14nm工艺已经确定延期1-2个季度，按照此进度下去，高通想在今年下半年推出骁龙820仍然面临着巨大的压力。

2 U2 T: F7 C/ v$ l, Y